1. Наука
  2. Видання
  3. Системи обробки інформації
  4. 3(19)'2002
  5. Моделювання зміни частотних властивостей транзисторних структур при опроміненні

Моделювання зміни частотних властивостей транзисторних структур при опроміненні

А.К. Гнап, М.Й. Коваленко, Є.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров
Анотації на мовах:

Приведені результати моделювання, впливу опромінення високоенергетичними частинками тріодних структур різної технології, порівнюються теоретичні та експериментальні залежності