Моделювання зміни частотних властивостей транзисторних структур при опроміненні

А.К. Гнап, М.Й. Коваленко, Є.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров

Анотації на мовах:

Анотация: Приведені результати моделювання, впливу опромінення високоенергетичними частинками тріодних структур різної технології, порівнюються теоретичні та експериментальні залежності

Повний текст PDF - 478.20 KB

Харківський національний університет Повітряних Сил імені Івана Кожедуба

Наукові видання

Моделювання зміни частотних властивостей транзисторних структур при опроміненні