Анотація: Изменение проводимости полупроводникового газочувствительного элемента (ЧЭ) рассматривается как результат роста адсорбционного газового фрактального кластера на его поверхности. Быстродействие ЧЭ оценено как время достижения кластером перколяционного порога. Рассмотрены случаи роста адсорбционного фрактала на гладкой поверхности, а также рост адсорбционного фрактала на фрактальной поверхности. Показано, что время роста существенно зависит как от фрактальной размерности адсорбционного кластера, так и от фрактальной размерности исходного ЧЭ.