Анотація: Изучены зависимости внутреннего трения , нормального модуля Е, удельного электрического сопротивления монокристаллов p- и n-Si от амплитуды 0 упругой деформации до, после и в процессе облучения -частицами. Проведенные исследования важны для повышения надежности изделий твердотельной электроники, которые в процессе эксплуатации подвергаются воздействию не только высокоэнергетических облучений, но и циклических нагрузок, иногда изменяющихся по частоте и амплитуде