Харківський національний університет Повітряних Сил імені Івана Кожедуба

Изучены зависимости внутреннего трения , нормального модуля Е, удельного электрического сопротивления  монокристаллов p- и n-Si от амплитуды 0 упругой деформации до, после и в процессе облучения -частицами. Проведенные исследования важны для повышения надежности изделий твердотельной электроники, которые в процессе эксплуатации подвергаются воздействию не только высокоэнергетических облучений, но и циклических нагрузок, иногда изменяющихся по частоте и амплитуде

Повний текст PDF - 310.98 KB

Цитування публікації

Інформація про авторів публікації:

• Рохманов Н. Я.
• Гнап А. К.

Бібліографічний опис для цитування:
Рохманов Н. Я. Внутреннее трение в монокристаллах кремния, облучаемого альфа-частицами / Н. Я. Рохманов, А. К. Гнап  // Системи обробки інформації. — 2003. — № 1. — С. 110-119.